半导体功率器件的技术与产业发展

发布时间:2019-10-24 16:40:297阅读次数:420来源单位:南通大学责任编辑:


主  讲   人:无锡新洁能股份有限公司董事长兼总经理朱袁正

时       间:2019-11-01 16:00:00

地       点:啬园校区12号楼604室

承办部门:南通大学科协、信息科学技术学院(通科微电子学院、阿里云大数据学院、计算机科学与技术学院)(专用集成电路设计重点实验室挂靠)

热烈欢迎广大师生参加。

主讲人简介:朱袁正,教授级高工,博士生导师。曾任中国华晶电子集团公司-MOS 总厂助理工程师、刻蚀工艺主管,西门子松下有限公司产品工程技术经理,无锡华润上华半导体有限公司 MOSFET/IGBT 研发处长,苏州硅能半导体科技有限公司总经理、董事,无锡新洁能功率半导体有限公司董事、董事长兼总经理;现任新洁能香港董事,无锡新洁能股份有限公司董事长兼总经理,电芯联智控董事长、总经理。研究领域: 专注于超结大功率MOS器件(Super Junction MOSFET)、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件以及射频(微波)RF-LDMOS器件的研发设计、生产、测试、质量考核、销售与服务。

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