第三代半导体氮化镓材料 与器件研究及应用展望

发布时间:2026-05-14 09:41:134阅读次数:0来源单位:陶漪学习网站责任编辑:

主 讲 人 :孙钱

时 间 :2026-05-15 15:00

地 点 :5-110

承办 部门 :微电子学院(集成电路学院)(半导体器件与集成电路设计封测省高校重点实验室挂靠)

热烈欢迎广大师生参加

主讲人简介:孙钱,中国科大材料物理和计算机科学与技术双学士(郭沫若奖学金获得者),中国科学院半导体所硕士,美国耶鲁大学电子工程博士(Becton奖获得者),先后获国家重点人才工程A类(首批青年项目)、国家优青/杰青等资助,国家技术发明一等奖获得者(排名第4),中国科学院元器件专家组成员。现任中国科学院苏州纳米所研究员、博导,半导体显示材料与芯片重点实验室主任,研究所党委委员。长期致力于第三代半导体氮化镓(GaN)材料与光电子器件及功率电子器件的研发及产业化,通过专利挂牌转让(3200万元),初步实现了硅基氮化镓材料从基础研究到实际应用的关键突破。带领团队研发出大尺寸、低成本硅衬底GaN基高效LED技术,并实现了规模量产;研制出国际首支硅衬底GaN基激光器,入选中国光学十大进展,并荣获第二届“率先杯”未来技术创新大赛“决赛优胜奖”。


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